企业简介
“与巨人同行、与世界同步”是我们的发展战略，“绿色制造、制造绿色”是我们的发展理念。中电电气与澳大利亚科学家团队合作成立的，南京中电光伏科技有限公司，是中电电气发展壮大过程中一个新的里程碑，也是我们与江宁开发区携手合作、共谋发展、互动双赢的结晶。作为重点扶持的高新技术企业，公司一期投资 3000万美元，注册资本1080万美元，设计生产能力年产30兆瓦太阳能电池，产值将达到15亿元人民币，年创利税将突破1亿元人民币。南京中电光伏科技有限公司总经理赵建华博士，是国际光伏太阳能行业的科学家，为推动国际光伏太阳能技术的发展和应用作出了巨大贡献，不断创造太阳能电池光电转换的世界记录，将单晶硅和多晶硅太阳能电池的光电转换率分别提高到24.7％和19.8％的世界水平。 因此，我们有理由相信，在未来的三年中，我们完全有可能成为世界的太阳能生产基地之一。
中电电气（南京）光伏有限公司的工商信息
- 320100400026231
- 91320115762136692U
- 在业
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 2004年08月02日
- 陆廷秀
- 16340万元人民币
- 2004年07月29日 至 2054年08月01日
- 南京市江宁区市场监督管理局
- 2016年03月10日
- 南京市江宁经济技术开发区胜太路88号
- 贵金属加工及销售；硅料、硅棒、硅锭、硅片、太阳能光伏电池片、光伏组件及相关产品的研发、生产；销售自产产品；太阳能光伏发电系统及其配套系统的研发，提供施工安装及相关技术服务；从事相关产品的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外，不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）及技术进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
中电电气（南京）光伏有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 中电光伏官网 | http://www.csun-solar.com/index.html |
| 网站 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | http://www.chinasunergy.com/ |
中电电气（南京）光伏有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10766831 |  |
PSAR | 2012-04-13 | 卫星导航仪器；激光导向仪；光学灯 | 查看详情 |
| 2 | 10766852 |  |
QSAR | 2012-04-13 | 夜明或机械信号标志；激光导向仪；光导纤维(光学纤维)；光学灯；单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；电池；太阳能电池 | 查看详情 |
| 3 | 14246505 |  |
CSUN ENERGY FOR TODAY | 2014-03-25 | 碳素材料；控制板（电）；光导纤维（光学纤维）；电导体；集成电路；单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；光伏电池；太阳能电池； | 查看详情 |
| 4 | 11965426 |  |
WARATAH | 2012-12-27 | 太阳能电池；电池；光导纤维(光学纤维)；硒堆和硒片；单晶硅；多晶硅；光学灯；激光导向仪；卫星导航仪器；夜明或机械信号标志 | 查看详情 |
中电电气（南京）光伏有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN100334744C | 一种硅太阳电池的结构与制作方法 | 2007.08.29 | 一种N型硅太阳电池的结构：在N型硅片上，背面设有P型发射结，正面和制备P型发射结的背面均设有丝网印刷 |
| 2 | CN101656276A | 一种利用套印方式制备晶体硅太阳能电池电极的方法 | 2010.02.24 | 本发明公开了一种利用套印方式制备晶体硅太阳能电池电极的方法，其工艺步骤如下：A.将准备制备电极的硅片 |
| 3 | CN103618028B | 一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法和设备 | 2016.06.15 | 本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法，步骤1）离子注入掺杂；2）离子注入掺杂后 |
| 4 | CN103071879B | 一种晶硅太阳能电池焊接方法与装置 | 2015.11.18 | 本发明涉及一种晶硅太阳能电池焊接装置，包括校准工位、焊接装置、光学传感器、互联条校准控制装置、可调节 |
| 5 | CN104638032A | 太阳能电池正电极栅线、太阳能电池及其制造方法 | 2015.05.20 | 本发明所述太阳能电池正电极栅线，包括至少3条主栅线和多条副栅线，所述主栅线相互平行设置，所述副栅线相 |
| 6 | CN203932083U | 一种具有抗PID性能的光伏组件 | 2014.11.05 | 具有抗PID性能的光伏组件，包括基底晶体硅（1）、P-N结发射结（2），在P-N结上设有一层氧化硅薄 |
| 7 | CN203491273U | 一种晶体硅太阳能电池多用标片 | 2014.03.19 | 晶体硅太阳能电池多用标片，将起码二种硅太阳能电池正面主栅线方案集中，在硅太阳能电池正面制备第一种硅太 |
| 8 | CN103618028A | 一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法 | 2014.03.05 | 本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法，步骤1）离子注入掺杂；2）离子注入掺杂后 |
| 9 | CN103618027A | 利用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法 | 2014.03.05 | 本发明涉及用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法，1）通过热生长、CVD、PVD、 |
| 10 | CN103603053A | 一种制备晶体硅太阳能电池的方法 | 2014.02.26 | 本发明涉及制备晶体硅太阳能电池的方法，1）先实施P型掺杂即硼掺杂：采用离子注入在硅片的某个表面或某些 |
| 11 | CN103531657A | 一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法 | 2014.01.22 | 一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，步骤如下（1）化学去除表面能损伤层；（2）采 |
| 12 | CN103515483A | 一种晶体硅太阳能电池发射结的制备方法 | 2014.01.15 | 晶体硅太阳能的电池发射结的制备方法，先在硅片绒面预沉积或预生长一定厚度的缓冲层；注入掺杂离子；将注入 |
| 13 | CN203339173U | 一种晶体硅太阳能电池正面主栅线结构 | 2013.12.11 | 晶体硅太阳能电池正面主栅线结构，在晶体硅太阳能电池的主栅线区域中设有均匀分布垂直于主栅线的平行的非印 |
| 14 | CN203250773U | 一种太阳能电池片的导片装置 | 2013.10.23 | 本实用新型公开一种太阳能电池片的导片装置，包括操作台和升降装置，操作台上设置有相互平行的横向导轨，横 |
| 15 | CN203250716U | 一种减少异常开腔次数的离子注入机 | 2013.10.23 | 本实用新型公开一种减少异常开腔次数的离子注入机，包括真空部分和自动传送部分，所述真空部分包括高真空区 |
| 16 | CN203250752U | 一种太阳能电池片背电极 | 2013.10.23 | 本实用新型公开了一种太阳能电池片背电极。所述太阳能电池片背电极为一种由若干银珠均匀分布构成设定长度和 |
| 17 | CN203250753U | 一种太阳能电池片正面正电极 | 2013.10.23 | 本实用新型公开了一种太阳能电池片正面正电极，包括多条相互平行的主栅和多条相互平行的副栅，副栅与主栅平 |
| 18 | CN203250727U | 一种防止离子注入机反应腔室引起故障的传输装置 | 2013.10.23 | 本实用新型公开一种防止离子注入机反应腔室引起故障的传输装置，包括传输带和其驱动装置，还包括光电传感器 |
| 19 | CN203250774U | 一种用于光伏领域自动焊接机的互联条供应系统 | 2013.10.23 | 本实用新型公开一种用于光伏领域自动焊接机的互联条供应系统，供应系统包括互联条工位、互联条对接焊接装置 |
| 20 | CN103071879A | 一种晶硅太阳能电池焊接方法与装置 | 2013.05.01 | 本发明涉及一种晶硅太阳能电池焊接装置，包括校准工位、焊接装置、光学传感器、互联条校准控制装置、可调节 |
| 21 | CN202839719U | 用于晶体硅太阳能电池生产的离子注入装置 | 2013.03.27 | 本实用新型公开了一种用于晶体硅太阳能电池生产的离子注入装置，包括接地的硅片放置盘，硅片放置盘盘面形状 |
| 22 | CN102991090A | 一种使用高压釜层压制作曲面光伏组件的方法 | 2013.03.27 | 本发明所述的一种使用高压釜层压机制作曲面光伏组件的方法，首先在曲面玻璃上覆盖一层粘结材料，再在粘结材 |
| 23 | CN102983213A | 一种曲面双玻光伏组件的层压制备工艺 | 2013.03.20 | 一种曲面双玻光伏组件的层压制备工艺，首先在面板曲面玻璃上覆盖一层粘结材料，在粘结材料上再摆放太阳能电 |
| 24 | CN202809006U | 一种扩散炉石英炉管 | 2013.03.20 | 本实用新型公开了一种扩散炉石英炉管。在石英炉管的炉口左右两侧各设置一排气口；还设置一接液瓶，所述接液 |
| 25 | CN202809005U | 一种扩散炉石英炉管 | 2013.03.20 | 本实用新型公开了一种扩散炉石英炉管，包括由石英炉管内引出的排气管，排气管接入尾液瓶。所述尾液瓶上部的 |
| 26 | CN202759399U | 一种用于汽车的百叶窗式小型太阳能电池发电装置 | 2013.02.27 | 本实用新型公开了一种用于汽车的百叶窗式小型太阳能电池发电装置，包括上边框、下边框和若干太阳能电池模组 |
| 27 | CN202601592U | 太阳电池用扩散炉 | 2012.12.12 | 本实用新型公开了一种太阳电池用扩散炉，包括解热炉体，解热炉体内设置石英炉管和尾气管，尾气管设置在解热 |
| 28 | CN102738310A | 减少封装胶膜互融混色的晶硅光伏组件的封装方法 | 2012.10.17 | 本发明公开了一种减少封装胶膜互融混色的晶硅光伏组件的封装方法。主要通过控制上下两层封装胶膜的凝固，避 |
| 29 | CN202412894U | 一种用于金属电极印刷设备浆料自动加料机的浆料挡板 | 2012.09.05 | 本实用新型公开了一种用于金属电极印刷设备浆料自动加料机的浆料挡板，由挡板和扣板构成，其特征是：扣板为 |
| 30 | CN202423319U | 一种太阳能电池组件 | 2012.09.05 | 本实用新型公开了一种太阳能电池组件，包括若干太阳能电池片，其特征是：将若干太阳能电池片等数量分为两组 |
| 31 | CN202423302U | 一种晶体硅太阳能电池 | 2012.09.05 | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，包括设在电池正面的主电极，其特征是：主电极的数量为4～10根， |
| 32 | CN202373596U | 一种晶体硅太阳能电池主电极 | 2012.08.08 | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池主电极，由若干串联块和若干串联线构成，其特征是：所述各串联块由各 |
| 33 | CN102496661A | 一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法 | 2012.06.13 | 本发明公开了一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，该方法是现有制备工艺的基础上，对太阳电池背表 |
| 34 | CN102496653A | 晶体硅太阳能电池片硫化电极的矫正方法及矫正装置 | 2012.06.13 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片硫化电极的矫正方法，其步骤是：将待处理的晶体硅太阳能电池片置于氢气 |
| 35 | CN202255834U | 一种加速晶体硅太阳电池光致衰减的装置 | 2012.05.30 | 本实用新型公开了一种加速晶体硅太阳电池光致衰减的装置，包括承载样品的基板，其特征在于：该装置还设有风 |
| 36 | CN202221466U | 一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置 | 2012.05.16 | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池双面组件电性能测试装置，包括单面组件IV测试台，其特征是：在单面组 |
| 37 | CN102437248A | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 | 2012.05.02 | 本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其制备步骤包括二次扩散、去除周边及背面PN结、 |
| 38 | CN102437249A | 背区域接触晶体硅太阳电池局域接触背电场的制备方法 | 2012.05.02 | 本发明公开了一种背区域接触晶体硅太阳电池局域接触背电场的制备方法，包括：在硅片上制备电池的正面电极和 |
| 39 | CN202142543U | 一种晶体硅太阳能电池的电极 | 2012.02.08 | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池的电极，由若干条相互平行的栅线和至少两条相互平行的主电极构成，主 |
| 40 | CN202142544U | 一种晶体硅太阳能电池主电极 | 2012.02.08 | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池主电极，其特征是：主电极为分段中空结构。所述主电极中空部位边框宽 |
| 41 | CN101593793A | 基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法 | 2009.12.02 | 本发明公开了基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其工艺步骤：步骤1.用H<sub>2< |
| 42 | CN101592469A | 太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法及装置 | 2009.12.02 | 本发明公开了一种太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法，其测量步骤是：测量待测太阳能电池硅片的原 |
| 43 | CN101478017A | 晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的改善方法及专用装置 | 2009.07.08 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的改善方法及专用装置。其工艺步骤为：将晶体硅太阳能电池 |
| 44 | CN101393946A | 晶体硅太阳能电池片弯曲片的矫正方法 | 2009.03.25 | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片弯曲片的矫正方法，其步骤为：A.将待矫正的弯曲的晶体硅太阳能电池片 |
| 45 | CN101276852A | 带有热斑激光刻蚀环的硅太阳能电池及其制备方法 | 2008.10.01 | 本发明公开了一种带有热斑激光刻蚀环的硅太阳能电池，表面带有金属电极层和Pn结层，电池表面带有热斑，在 |
| 46 | CN101271932A | 带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池及其制备方法 | 2008.09.24 | 本发明公开了一种带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池及其制备方法，电池表面带有金属电极层、Pn结层和热斑。在 |
| 47 | CN101101936A | 选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法 | 2008.01.09 | 本发明公开了一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，包括高浓度掺杂扩散，其特征在于：在晶体硅片的二 |
| 48 | CN2886809Y | 带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池 | 2007.04.04 | 本实用新型公开了一种带有正面钝化N型扩散层的N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体，其特 |
| 49 | CN2886808Y | N型硅太阳能电池 | 2007.04.04 | 本实用新型公开了一种N型硅太阳能电池，以N型直拉单晶硅片(CZ)为基体，其特征是：N型直拉单晶硅片的 |
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